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Infineon Technologies ISC0803NLSATMA1
| Artikelnummer: | ISC0803NLSATMA1 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 100V 8.8A/37A 8TDSON |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | ROHS3 -konform |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
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| Anzahl | Einzelpreis |
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Infineon Technologies ISC0803NLSATMA1 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments ISC0803NLSATMA1.Produkteigenschaften Eigenschaften VGS (th) (Max) @ Id 2.3V @ 18µA Vgs (Max) ±20V Technologie MOSFET (Metal Oxide) Supplier Device-Gehäuse PG-TDSON-8 Serie OptiMOS™ 5 Rds On (Max) @ Id, Vgs 16.9mOhm @ 20A, 10V Verlustleistung (max) 2.5W (Ta), 43W (Tc) Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN Paket Tape & Reel (TR) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Produkteigenschaften Eigenschaften Befestigungsart Surface Mount Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1000 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15 nC @ 10 V Typ FET N-Channel FET-Merkmal - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 8.8A (Ta), 37A (Tc) Grundproduktnummer ISC0803N -
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